联系人：马女士（女士）
电话：021-50463511
手机：15201951076
传真：
邮编：
地址：上海浦东新区新金桥楼1888号36号楼702
KRi 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗小姐 台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 108 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 ( 微信同号 ) M: +886-939-653-958
qq: 2821409400
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
